三星计划扩大1cnm DRAM生产，目标至2026年月产能达20万片晶圆——扩大生产规模，提升技术实力

三星计划扩大其1cnm DRAM生产规模，旨在提高产能以满足市场需求，该公司设定的目标是在2026年月产能达到20万片晶圆，这一举措反映了三星在半导体领域的持续投入和领先地位，旨在确保其在全球内存芯片市场的竞争力，扩大生产规模将有助于满足未来电子设备对高性能内存的需求，并推动三星在半导体技术领域的持续创新。

11月19日消息，据媒体报道，三星正加速提升1cnm DRAM的产能，以抢占HBM4市场的先机。按照规划，其目标是在2026年第二季度将月产能提升至14万片晶圆，并于第四季度进一步增至每月20万片晶圆。这些节点对应设备设置阶段，目标是在每个阶段实现批量生产准备。

目前，三星的DRAM总产能约为每月65万至70万片晶圆。这意味着最新的1cnm DRAM产能将在短时间内达到总产能的约30%，其增产速度已超过2022年半导体热潮期间月增13万片晶圆的扩张规模。

为实现这一目标，三星一方面通过对现有DRAM生产线进行技术改造实现过渡，另一方面则依托位于平泽的P4工厂进行新增投资。

这一积极扩产举措，反映出三星对1cnm DRAM技术与市场需求的高度信心。在人工智能驱动的强劲需求下，近期DRAM市场已出现供不应求的局面。

面对同样机遇，竞争对手SK海力士也计划于2025年内启动1cnm DRAM的量产，并于2026年全面投产。预计到2026年底，其韩国国内通用DRAM产量中将有超过一半来自1cnm工艺，并形成包括LPDDR与GDDR在内的完整1cnm产品阵容。